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型号： PD55003L-E
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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PD55003L-E产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供PD55003L-E由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD55003L-E价格参考。STMicroelectronicsPD55003L-E封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， RF Mosfet LDMOS 12.5V 50mA 500MHz 19dB 3W PowerFLAT™ (5x5)。您可以下载PD55003L-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PD55003L-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics的PD55003L-E是一款射频MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），属于高性能射频功率晶体管，主要应用于需要高效率和高线性度的射频放大场合。该器件常用于工业、科学和医疗（ISM）频段的射频能量应用，如射频加热、等离子生成、射频激励源等。

典型应用场景包括感应加热设备、小型化射频电源系统以及需要在13.56MHz或类似ISM频段下稳定工作的射频功率放大器。PD55007L-E具备优良的热稳定性和高击穿电压特性，适合在高电压、高功率密度环境下运行。其封装设计有利于高效散热，提升了在连续波（CW）工作模式下的可靠性。

此外，该器件也适用于射频能效要求较高的医疗设备、材料处理设备及实验室仪器中。由于其出色的跨导和增益性能，PD55003L-E在低至中等功率射频放大电路中表现出色，尤其适合对尺寸紧凑和能效优化有较高要求的应用场景。

综上所述，PD55003L-E广泛应用于ISM频段内的射频功率系统，特别适用于感应加热、等离子发生和各类射频能量传输设备，是工业与专业领域中可靠的射频功率解决方案之一。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT射频MOSFET晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
产品分类	RF FET分离式半导体
Id-ContinuousDrainCurrent	2.5 A
Id-连续漏极电流	2.5 A
品牌	STMicroelectronics
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,STMicroelectronics PD55003L-E-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	PD55003L-E
Pd-PowerDissipation	14 W
Pd-功率耗散	14 W
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	40 V
Vds-漏源极击穿电压	40 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	15 V
Vgs-栅源极击穿电压	15 V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	射频MOSFET晶体管
供应商器件封装	PowerFLAT™（5x5）
其它名称	497-6472-6
其它有关文件	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1821/PF127182?referrer=70071840
功率-输出	3W
功率耗散	14 W
包装	Digi-Reel®
商标	STMicroelectronics
噪声系数	-
增益	19dB
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	8-PowerVDFN
封装/箱体	PowerFLAT (5x5)
工厂包装数量	3000
技术	LDMOS
晶体管极性	N-Channel
晶体管类型	LDMOS
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 65 C
标准包装	1
汲极/源极击穿电压	40 V
漏极连续电流	2.5 A
电压-测试	12.5V
电压-额定	40V
电流-测试	50mA
系列	PD55003L-E
输出功率	3 W
配置	Single
闸/源击穿电压	15 V
频率	500MHz
额定电流	2.5A