Datasheet下载- 型号： AFT27S010NT1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供AFT27S010NT1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AFT27S010NT1价格参考￥109.78-￥109.78。Freescale SemiconductorAFT27S010NT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载AFT27S010NT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有AFT27S010NT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
AFT27S010NT1 是 NXP USA Inc. 生产的一款射频场效应晶体管（RF MOSFET），属于高电子迁移率晶体管（HEMT）类型，专为高频、低噪声放大应用设计。该器件主要工作在2.4 GHz至2.5 GHz频段，典型应用场景包括无线通信基础设施中的低噪声放大器（LNA）、无线局域网（WLAN）、Wi-Fi 6/6E系统、物联网（IoT）设备以及工业、科学和医疗（ISM）频段射频前端模块。 由于其优异的噪声系数（通常低至0.4 dB左右）和高增益特性，AFT27S010NT1 特别适用于需要高灵敏度接收信号的系统，如基站、接入点和远距离无线收发设备。此外，该器件采用小型表面贴装封装（SOT-343），便于集成于空间受限的高密度电路板中，适合现代紧凑型通信设备的设计需求。 AFT27S010NT1 还具备良好的线性度和稳定性，可在较宽温度范围内可靠运行，因此广泛用于民用与商用射频系统中，尤其在要求低功耗、高性能接收链路的应用中表现突出。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF NCH 65V 2700MHZ PLD1.5W |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | AFT27S010NT1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | PLD-1.5W-2 |
| 功率-输出 | 1.26W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 21.7dB |
| 封装/外壳 | PLD-1.5W-2 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-测试 | 28VDC |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 90mA |
| 频率 | 728MHz ~ 2.7GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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