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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PD55003STR-E由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD55003STR-E价格参考。STMicroelectronicsPD55003STR-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PD55003STR-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PD55003STR-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的PD55003STR-E是一款射频MOSFET晶体管,主要应用于射频功率放大领域。该器件适用于无线通信基础设施,如蜂窝基站、无线接入系统和广播设备中的射频功率放大器设计。其高功率密度和优良的热稳定性使其适合在高频环境下工作,广泛用于2GHz以下的射频频段。此外,PD55003STR-E也常用于工业和医疗射频设备,如射频加热、等离子体生成和磁共振成像(MRI)系统的射频功率控制。该器件支持高效率、高线性度的设计,适合用于现代通信系统中对功率和效率要求较高的应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10 |
产品分类 | RF FET |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | PD55003STR-E |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | PowerSO-10RF(直引线) |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1821/PF133433?referrer=70071840 |
功率-输出 | 3W |
包装 | 带卷 (TR) |
噪声系数 | - |
增益 | 17dB |
封装/外壳 | PowerSO-10 裸露底部焊盘 |
晶体管类型 | LDMOS |
标准包装 | 600 |
电压-测试 | 12.5V |
电压-额定 | 40V |
电流-测试 | 50mA |
频率 | 500MHz |
额定电流 | 2.5A |