【未分类_MRF6S9060NBR1】封装/厂家_MRF6S9060NBR1中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： MRF6S9060NBR1
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S9060NBR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S9060NBR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S9060NBR1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF6S9060NBR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S9060NBR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc.生产的MRF6S9060NBR1是一款射频（RF）MOSFET晶体管，主要应用于高频功率放大和信号处理领域。以下是该型号的主要应用场景：

1. 射频功率放大器：  
   该器件适用于无线通信系统中的射频功率放大器，例如广播、蜂窝网络基站、对讲机等设备。其高功率处理能力和优异的射频性能使其成为这些应用的理想选择。

2. 工业、科学与医疗（ISM）频段设备：  
   在ISM频段设备中，如微波加热、无线能量传输和医疗成像设备中，MRF6S9060NBR1能够提供高效的功率输出和稳定的性能。

3. 业余无线电通信：  
   用于业余无线电发射机中，作为功率放大器的核心元件，支持高频信号的高效放大，满足爱好者对长距离通信的需求。

4. 测试与测量设备：  
   在高性能测试仪器中，如频谱分析仪或信号发生器，这款MOSFET可用于生成高精度的射频信号或放大弱信号。

5. 雷达系统：  
   该器件可用于军事或民用雷达系统中，提供高功率射频信号输出，以实现目标探测和跟踪功能。

6. 卫星通信与射频前端模块：  
   在卫星通信地面站或射频前端模块中，MRF6S9060NBR1可以作为关键的功率放大组件，确保信号的可靠传输和接收。

总结来说，MRF6S9060NBR1凭借其出色的射频性能和功率处理能力，广泛应用于需要高效射频功率放大的场景，包括通信、工业、医疗和国防等领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 28V 14W TO-272-2
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF6S9060NBR1
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	TO-272-2
功率-输出	14W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	21.4dB
封装/外壳	TO-272BC
晶体管类型	LDMOS
标准包装	500
电压-测试	28V
电压-额定	68V
电流-测试	450mA
频率	880MHz
额定电流	10µA