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- 型号： BLF8G10LS-270GVJ
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF8G10LS-270GVJ由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF8G10LS-270GVJ价格参考。NXP SemiconductorsBLF8G10LS-270GVJ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF8G10LS-270GVJ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF8G10LS-270GVJ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF8G10LS-270GVJ是Ampleon USA Inc.生产的一款高性能射频MOSFET晶体管，主要应用于高功率射频放大场合。该器件特别适用于工作频率在700–1000 MHz范围内的系统，广泛用于广播、工业和通信领域。典型应用场景包括FM广播发射机、电视发射系统以及地面数字广播（如DVB-T、ATSC）基站中的高效率功率放大级。 该型号采用先进的LDMOS技术，具备高增益、高效率和出色的热稳定性，能够在高电压（典型漏极电压28V）和高输出功率条件下稳定运行，连续波（CW）输出功率可达1200W以上。其坚固的封装设计（NiPdAu镀层）提升了可靠性和抗腐蚀能力，适合长时间连续工作的严苛环境。 此外，BLF8G10LS-270GVJ也适用于需要高线性度和宽瞬时带宽的现代通信基础设施，例如公共安全通信、应急广播网络和大功率中继站。由于其优异的互调性能和良好的输入/输出匹配特性，可简化外围匹配电路设计，提高系统集成效率。 综上所述，BLF8G10LS-270GVJ是一款面向高功率射频发射系统的理想选择，尤其适合对可靠性、效率和输出功率要求较高的广播与专业通信应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF POWER 270W ACC-6L |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF8G10LS-270GVJ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM6 |
| 其它名称 | 934066908118 |
| 功率-输出 | 67W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-1244C |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 28V |
| 电流-测试 | 2A |
| 频率 | 820MHz ~ 960MHz |
| 额定电流 | - |
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