【未分类_LET9120】封装/厂家_LET9120中文资料_价格

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型号： LET9120
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供LET9120由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 LET9120价格参考。STMicroelectronicsLET9120封装/规格：未分类，暂无。您可以下载LET9120参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有LET9120 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics的LET9120是一款射频（RF）MOSFET晶体管，主要用于高频信号处理和放大应用。以下是其典型应用场景：

1. 射频功率放大器：LET9120适用于无线通信系统中的射频功率放大器设计，能够高效放大高频信号，满足广播、对讲机或工业科学医疗（ISM）频段设备的需求。

2. 调制解调器与发射机：在需要高线性度和低失真的场合，例如业余无线电、短波通信或卫星通信设备中，该器件可作为关键组件实现信号的稳定传输。

3. 移动通信基础设施：可用于基站或中继站中的射频前端模块，提供高效的功率转换以支持多种通信协议。

4. 测试与测量设备：在频谱分析仪、信号发生器等精密仪器中，LET9120可以确保高质量的射频信号生成与处理能力。

5. 工业无线控制：如无人机、遥控模型及物联网（IoT）节点中的射频链路部分，利用其高性能特性来增强数据传输距离与可靠性。

6. 雷达系统与传感器：为小型雷达装置或超声波传感器提供必要的射频驱动功能，帮助实现目标检测与环境感知。

总之，LET9120凭借其优异的射频性能，在各类需要高效能射频信号处理的应用领域有着广泛用途。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH 80V 18A M-246射频MOSFET晶体管 RF Power LdmoST 120W 18 dB 860MHz
产品分类	RF FET分离式半导体
Id-ContinuousDrainCurrent	18 A
Id-连续漏极电流	18 A
品牌	STMicroelectronics
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,STMicroelectronics LET9120-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	LET9120
Pd-PowerDissipation	200 W
Pd-功率耗散	200 W
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	80 V
Vds-漏源极击穿电压	80 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	15 V
Vgs-栅源极击穿电压	15 V
产品种类	射频MOSFET晶体管
供应商器件封装	M246
其它名称	497-12848 LET9120-ND
其它有关文件	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1822/PF223772?referrer=70071840
功率-输出	150W
功率耗散	200 W
包装	托盘
商标	STMicroelectronics
噪声系数	-
增益	18 dB at 860 MHz
安装风格	SMD/SMT
封装	Bulk
封装/外壳	M246
封装/箱体	M246
工厂包装数量	20
技术	LDMOS
晶体管极性	N-Channel
晶体管类型	LDMOS Power
最大工作温度	+ 150 C
标准包装	20
汲极/源极击穿电压	80 V
漏极连续电流	18 A
电压-测试	32V
电压-额定	80V
电流-测试	400mA
系列	LET9120
输出功率	120 W
配置	Dual
闸/源击穿电压	15 V
频率	1.6 GHz
额定电流	18A