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  • 型号: LET9120
  • 制造商: STMicroelectronics
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供LET9120由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 LET9120价格参考。STMicroelectronicsLET9120封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载LET9120参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有LET9120 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 80V 18A M-246射频MOSFET晶体管 RF Power LdmoST 120W 18 dB 860MHz

产品分类

RF FET分离式半导体

Id-ContinuousDrainCurrent

18 A

Id-连续漏极电流

18 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,STMicroelectronics LET9120-

数据手册

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产品型号

LET9120

Pd-PowerDissipation

200 W

Pd-功率耗散

200 W

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

80 V

Vds-漏源极击穿电压

80 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

15 V

Vgs-栅源极击穿电压

15 V

产品种类

射频MOSFET晶体管

供应商器件封装

M246

其它名称

497-12848
LET9120-ND

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1822/PF223772?referrer=70071840

功率-输出

150W

功率耗散

200 W

包装

托盘

商标

STMicroelectronics

噪声系数

-

增益

18 dB at 860 MHz

安装风格

SMD/SMT

封装

Bulk

封装/外壳

M246

封装/箱体

M246

工厂包装数量

20

技术

LDMOS

晶体管极性

N-Channel

晶体管类型

LDMOS Power

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

20

汲极/源极击穿电压

80 V

漏极连续电流

18 A

电压-测试

32V

电压-额定

80V

电流-测试

400mA

系列

LET9120

输出功率

120 W

配置

Dual

闸/源击穿电压

15 V

频率

1.6 GHz

额定电流

18A

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