Datasheet下载- 型号： BF1202WR,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BF1202WR,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF1202WR,115价格参考。NXP SemiconductorsBF1202WR,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BF1202WR,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BF1202WR,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BF1202WR,115 是由 NXP USA Inc. 生产的一款射频场效应晶体管（RF FET），属于MOSFET类别，主要用于高频信号放大和射频应用。该器件采用先进的硅技术制造，具有良好的高频性能和可靠性，适用于工作频率较高的无线通信系统。 其典型应用场景包括： 1. FM 收音机模块：BF1202WR 常用于便携式或车载 FM 收音机中的射频低噪声放大（LNA），可有效增强接收灵敏度，提升音频信号接收质量。 2. 无线音频传输设备：如无线麦克风、耳机和小型广播发射器，利用其在 VHF 频段的良好增益和低噪声特性，实现清晰稳定的音频信号传输。 3. 消费类电子产品：广泛应用于手机附件、MP3 播放器、智能音箱等设备中的射频前端电路，支持调频广播功能的集成。 4. 物联网（IoT）与短距离通信：适合低功耗、小信号放大的无线传感节点和远程控制装置。 该器件采用 SOT-323 小型表面贴装封装，节省空间，便于高密度电路板布局，适合小型化设计。其低电压工作特性（通常在 2.5V 至 6V 范围）也使其适用于电池供电设备。总体而言，BF1202WR,115 是一款经济高效、性能稳定的射频MOSFET，特别适合对尺寸和功耗有要求的中低端消费类射频应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R射频MOSFET晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-连续漏极电流 | 0.03 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,NXP Semiconductors BF1202WR,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BF1202WR,115 |
| PCN封装 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-功率耗散 | 200 mW |
| Vds-漏源极击穿电压 | 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 6 V |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 产品类型 | MOSFET Small Signal |
| 供应商器件封装 | CMPAK-4 |
| 其它名称 | 568-6153-2 |
| 功率-输出 | - |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数 | 0.9dB |
| 增益 | 30.5dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-82A，SOT-343 |
| 封装/箱体 | CMPAK-4 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | MOSFET |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 10 V |
| 漏极连续电流 | 0.03 A |
| 电压-测试 | 5V |
| 电压-额定 | 10V |
| 电流-测试 | 12mA |
| 配置 | Single Dual Gate |
| 闸/源击穿电压 | 6 V |
| 零件号别名 | BF1202WR T/R |
| 频率 | 400MHz |
| 额定电流 | 30mA |
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