Datasheet下载- 型号： ATF-36163-TR2G
- 制造商： Avago Technologies
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ATF-36163-TR2G由Avago Technologies设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATF-36163-TR2G价格参考。Avago TechnologiesATF-36163-TR2G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ATF-36163-TR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ATF-36163-TR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ATF-36163-TR2G 是 Broadcom Limited 推出的一款高性能砷化镓（GaAs）增强型伪形貌高电子迁移率晶体管（pHEMT），属于射频场效应晶体管（RF FET/MOSFET）。该器件专为高频、低噪声放大应用设计，广泛应用于无线通信系统中。 其主要应用场景包括： 在无线基础设施中，用于蜂窝基站的低噪声放大器（LNA），支持 GSM、CDMA、WCDMA、LTE 等多种通信标准；在微波点对点通信系统中，适用于 1.5 GHz 至 4.0 GHz 频段的宽带低噪声放大，具备优异的增益和噪声系数性能；在卫星通信和宽带无线接入（如 WiMAX）系统中，提供高线性度和动态范围，保障信号传输质量；此外，也适用于测试仪器、雷达系统及工业射频设备中的前端接收模块。 ATF-36163-TR2G 具有低噪声系数（典型值约 0.45 dB @ 2 GHz）、高增益（可达 16 dB）和良好的稳定性，采用无铅表面贴装封装（SOT-343），便于自动化生产。其增强型设计支持单电源供电，简化了偏置电路设计，提高了系统可靠性。 综上，该器件适用于对灵敏度和信号完整性要求较高的高频接收系统，是现代射频前端设计中的关键元件之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC PHEMT 1.5-18GHZ LN SOT-363 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Avago Technologies US Inc. |
| 数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-1441EN |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | ATF-36163-TR2G |
| PCN组件/产地 | http://www.avagotech.com/docs/V11-024-480035-0B |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 功率-输出 | 5dBm |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | 0.6dB |
| 增益 | 15.8dB |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | pHEMT FET |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-测试 | 2V |
| 电压-额定 | 3V |
| 电流-测试 | 15mA |
| 频率 | 4GHz |
| 额定电流 | 40mA |
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