Datasheet下载- 型号： MRF6S20010NR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S20010NR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S20010NR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S20010NR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S20010NR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S20010NR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 MRF6S20010NR1 是一款射频功率MOSFET晶体管，属于高性能LDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体）器件，主要用于高功率射频放大应用。该器件典型应用于工作频率在806 MHz至865 MHz范围内的无线通信系统。 其主要应用场景包括：陆地移动无线电（如警用、消防、急救等公共安全通信系统）、商业对讲机系统、基站功率放大器以及工业、科学和医疗（ISM）频段设备。MRF6S20010NR1具备高增益、高效率和良好的热稳定性，适合在需要高线性度和可靠输出功率的环境中运行，例如在大功率推挽式放大器设计中提供稳定的10W平均输出功率。 此外，该器件广泛用于支持TETRA、P25等数字通信标准的基础设施设备中，能够满足严苛的环境要求和长期运行的稳定性需求。其采用坚固的陶瓷封装（NR1），具备优良的散热性能和可靠性，适用于户外基站、车载通信系统及其它恶劣工作环境下的射频功率放大模块。 综上，MRF6S20010NR1是一款专为中高频段、高可靠性射频功率放大设计优化的关键元件，适用于各类专业移动通信和工业无线系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-2 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF6S20010NR1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-270-2 |
| 其它名称 | MRF6S20010NR1DKR |
| 功率-输出 | 10W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15.5dB |
| 封装/外壳 | TO-270AA |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 130mA |
| 频率 | 2.17GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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