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ATF-511P8-BLK产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ATF-511P8-BLK由Avago Technologies设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATF-511P8-BLK价格参考。Avago TechnologiesATF-511P8-BLK封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet E-pHEMT 4.5V 200mA 2GHz 14.8dB 30dBm 8-LPCC(2x2)。您可以下载ATF-511P8-BLK参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ATF-511P8-BLK 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Broadcom Limited 的型号为 ATF-511P8-BLK 的晶体管属于 FET(场效应晶体管)、MOSFET 类别,并专门用于射频(RF)应用。以下是该型号的主要应用场景: 1. 射频放大器 - ATF-511P8-BLK 常用于设计高性能的射频放大器,特别是在高频通信系统中。它适用于低噪声放大器(LNA)和功率放大器(PA),能够提供高增益、低噪声和高效的射频信号放大。 - 其典型工作频率范围覆盖 VHF、UHF 和微波频段,适合需要高线性度和稳定性的无线通信设备。 2. 无线通信设备 - 该器件广泛应用于无线通信领域,例如蜂窝基站、卫星通信、对讲机和其他无线收发设备。 - 在这些设备中,ATF-511P8-BLK 能够处理射频信号的调制、解调以及信号增强,确保通信质量稳定可靠。 3. 雷达系统 - 在雷达系统中,该 MOSFET 可用作信号发射和接收模块中的关键组件。其高频率特性和低相位噪声特性使其非常适合脉冲雷达和连续波雷达的应用。 4. 广播电视设备 - ATF-511P8-BLK 可用于广播电视台的射频发射机中,帮助实现高质量的音频和视频信号传输。 - 它在 VHF 和 UHF 频段表现出色,能够满足广播级设备的严格要求。 5. 测试与测量仪器 - 在射频测试仪器中,如频谱分析仪、信号发生器等,该器件可以作为核心射频电路的一部分,用于生成或处理高频信号。 - 其高稳定性和可靠性确保了测试结果的准确性。 6. 物联网(IoT)设备 - 随着物联网技术的发展,该型号也逐渐应用于小型化、低功耗的 IoT 设备中,例如无线传感器网络、智能家居设备和可穿戴设备中的射频模块。 总结 ATF-511P8-BLK 是一款专为射频应用设计的高性能 MOSFET,适用于需要高频率、低噪声和高效率的场景。无论是通信、雷达、广播还是测试测量领域,它都能发挥重要作用,推动现代电子设备的性能提升。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | IC PHEMT 2GHZ 4.5V 200MA 8-LPCC射频JFET晶体管 Transistor GaAs High Linearity |
产品分类 | RF FET分离式半导体 |
Id-连续漏极电流 | 1 A |
品牌 | Avago Technologies US Inc. |
产品手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-3620EN |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,Avago Technologies ATF-511P8-BLK- |
数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-3620EN |
P1dB | 30 dBm |
产品型号 | ATF-511P8-BLK |
Pd-功率耗散 | 3 W |
Vds-漏源极击穿电压 | 7 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | - 5 V to 1 V |
产品 | RF JFET |
产品种类 | Transistor |
供应商器件封装 | 8-LPCC(2x2) |
其它名称 | 516-2691 |
功率-输出 | 30dBm |
功率耗散 | 3 W |
包装 | 散装 |
商标 | Avago Technologies |
噪声系数 | 1.4dB |
增益 | 14.8dB |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Bulk |
封装/外壳 | 8-LPCC |
封装/箱体 | LPCC-8 |
工厂包装数量 | 100 |
技术 | GaAs |
晶体管类型 | pHEMT FET |
最大工作温度 | + 150 C |
最大漏极/栅极电压 | - 5 V to + 1 V |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 100 |
正向跨导-最小值 | 2178 mmho |
漏极连续电流 | 1 A |
漏源电压VDS | 7 V |
电压-测试 | 4.5V |
电压-额定 | 7V |
电流-测试 | 200mA |
类型 | GaAs EpHEMT |
配置 | Single Dual Source |
闸/源击穿电压 | - 5 V to 1 V |
频率 | 2GHz |
额定电流 | 1A |