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  • 型号: ATF-511P8-BLK
  • 制造商: Avago Technologies
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ATF-511P8-BLK产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ATF-511P8-BLK由Avago Technologies设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATF-511P8-BLK价格参考。Avago TechnologiesATF-511P8-BLK封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet E-pHEMT 4.5V 200mA 2GHz 14.8dB 30dBm 8-LPCC(2x2)。您可以下载ATF-511P8-BLK参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ATF-511P8-BLK 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

IC PHEMT 2GHZ 4.5V 200MA 8-LPCC射频JFET晶体管 Transistor GaAs High Linearity

产品分类

RF FET分离式半导体

Id-连续漏极电流

1 A

品牌

Avago Technologies US Inc.

产品手册

http://www.avagotech.com/docs/AV02-3620EN

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,Avago Technologies ATF-511P8-BLK-

数据手册

http://www.avagotech.com/docs/AV02-3620EN

P1dB

30 dBm

产品型号

ATF-511P8-BLK

Pd-功率耗散

3 W

Vds-漏源极击穿电压

7 V

Vgs-栅源极击穿电压

- 5 V to 1 V

产品

RF JFET

产品种类

Transistor

供应商器件封装

8-LPCC(2x2)

其它名称

516-2691
ATF-511P8-BLK-ND
ATF511P8BLK

功率-输出

30dBm

功率耗散

3 W

包装

散装

商标

Avago Technologies

噪声系数

1.4dB

增益

14.8dB

安装风格

SMD/SMT

封装

Bulk

封装/外壳

8-LPCC

封装/箱体

LPCC-8

工厂包装数量

100

技术

GaAs

晶体管类型

pHEMT FET

最大工作温度

+ 150 C

最大漏极/栅极电压

- 5 V to + 1 V

最小工作温度

- 65 C

标准包装

100

正向跨导-最小值

2178 mmho

漏极连续电流

1 A

漏源电压VDS

7 V

电压-测试

4.5V

电压-额定

7V

电流-测试

200mA

类型

GaAs EpHEMT

配置

Single Dual Source

闸/源击穿电压

- 5 V to 1 V

频率

2GHz

额定电流

1A

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