Datasheet下载- 型号： MRF6S21140HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S21140HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S21140HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S21140HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S21140HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S21140HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S21140HR3 是 NXP Semiconductors 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为 2.1–2.2 GHz 频段设计（典型工作频段：2110–2170 MHz），适用于蜂窝通信基站中的宏蜂窝和微蜂窝功率放大器。其主要应用场景包括：4G LTE 和 5G NR（Sub-6 GHz）基站的末级功率放大器（PA），尤其在大规模 MIMO 和有源天线系统（AAS）中提供高效率、高线性度的射频输出；支持多载波宽带信号（如20–80 MHz带宽），满足ACLR与EVM严苛指标；适用于WCDMA、LTE TDD/FDD及NR FDD模式下的远程射频单元（RRU）和分布式基站（BBU+RRU架构）。该器件采用气腔陶瓷封装（HR3），具备优异热管理能力与高可靠性，支持连续波（CW）及复杂调制信号下长期稳定运行。典型应用电路需配合匹配网络、偏置电路及温度补偿设计，常与NXP配套驱动器（如MMRF1022）及数字预失真（DPD）系统协同使用，以提升整机效率与线性度。广泛用于全球主流通信设备商（如华为、爱立信、中兴）的商用基站射频子系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 30W NI-880 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF6S21140HR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880 |
| 其它名称 | MRF6S21140HR3DKR |
| 功率-输出 | 30W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15.5dB |
| 封装/外壳 | NI-880 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 1.2A |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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