Datasheet下载- 型号： NE5550779A-T1-A
- 制造商： CEL
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE5550779A-T1-A由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE5550779A-T1-A价格参考。CELNE5550779A-T1-A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NE5550779A-T1-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE5550779A-T1-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NE5550779A-T1-A的CEL品牌射频MOSFET晶体管，主要应用于射频（RF）功率放大领域。该器件适用于无线通信系统中的射频信号放大，如蜂窝基站、无线接入点和广播设备等场景。其高频率响应与优良的线性放大性能，使其在2G/3G/4G/5G通信基础设施中具备广泛应用潜力。此外，该器件也可用于工业与医疗射频设备、测试仪器及卫星通信系统中，满足高频段信号处理需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC FET LDMOS 30V 2.1A 79A-PKG |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | CEL |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NE5550779A-T1-A |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 79A |
| 功率-输出 | 38.5dBm |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 22dB |
| 封装/外壳 | 4-SMD，扁平引线 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-测试 | 7.5V |
| 电压-额定 | 30V |
| 电流-测试 | 140mA |
| 频率 | 900MHz |
| 额定电流 | 2.1A |
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