Datasheet下载- 型号： NE5550779A-T1-A
- 制造商： CEL
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE5550779A-T1-A由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE5550779A-T1-A价格参考。CELNE5550779A-T1-A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NE5550779A-T1-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE5550779A-T1-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NE5550779A-T1-A 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的高性能射频MOSFET，专为2–6 GHz频段设计，采用SOT-363（SC-70）超小型封装，具备低噪声、高增益和优良线性度特性。其典型应用场景包括： 1. 5G Sub-6 GHz前端模块：用于智能手机、CPE（客户终端设备）及小基站中的低噪声放大器（LNA），支持n41/n77/n78等主流5G频段； 2. Wi-Fi 6/6E射频接收链路：作为2.4 GHz与5 GHz双频LNA核心器件，提升接收灵敏度与抗干扰能力； 3. 物联网（IoT）无线模块：适用于NB-IoT、LTE-M及Wi-SUN等中低功耗广域通信终端的射频接收前端； 4. 汽车V2X通信系统：在5.9 GHz DSRC或C-V2X直连通信接收通道中实现高稳定性信号放大； 5. 便携式测试设备与射频开发板：因体积小、易集成、无需外部匹配电感（内置输入匹配），常用于紧凑型射频评估设计。 该器件工作电压低（2.7–5.5 V），静态电流仅约8 mA，兼顾性能与能效，特别适合对尺寸、功耗和射频性能均有严苛要求的现代无线终端应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC FET LDMOS 30V 2.1A 79A-PKG |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | CEL |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NE5550779A-T1-A |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 79A |
| 功率-输出 | 38.5dBm |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 22dB |
| 封装/外壳 | 4-SMD，扁平引线 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-测试 | 7.5V |
| 电压-额定 | 30V |
| 电流-测试 | 140mA |
| 频率 | 900MHz |
| 额定电流 | 2.1A |
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