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产品简介:
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NXP USA Inc.生产的MRF6VP3450HSR5是一款射频(RF)晶体管,属于FET(场效应晶体管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别。该型号专为高频、高功率射频应用设计,主要应用场景包括: 1. 无线通信基站: 该器件适用于蜂窝基站中的功率放大器(PA),支持多种通信标准,如LTE、5G NR等。其高功率处理能力和高效性能能够满足基站对信号放大的需求。 2. 广播系统: 在调频(FM)或甚高频(VHF)广播中,MRF6VP3450HSR5可用于驱动和最终功率放大阶段,提供稳定的输出功率和良好的线性度。 3. 航空与国防: 该晶体管适合雷达系统、卫星通信和军用无线电设备。其高可靠性和宽频带特性使其成为航空航天和国防领域的重要组件。 4. 工业、科学和医疗(ISM)应用: 在ISM频段内,该器件可用于微波加热、材料处理和医疗成像设备,例如磁共振成像(MRI)系统的射频发射模块。 5. 测试与测量设备: 高性能的射频测试仪器需要稳定的信号源和功率放大器,MRF6VP3450HSR5可作为关键元件用于信号生成和放大。 6. 射频能量应用: 在新兴的射频能量技术中,如无线充电、等离子体激发和烹饪设备,这款晶体管可以实现高效的能量转换。 总结来说,MRF6VP3450HSR5凭借其卓越的射频性能、高功率输出和宽广的工作频率范围,广泛应用于通信、广播、国防、工业和医疗等多个领域,为现代射频系统提供了可靠的解决方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET RF N-CH 450W NI1230S |
产品分类 | RF FET |
品牌 | Freescale Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MRF6VP3450HSR5 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | NI-1230S |
功率-输出 | 90W |
包装 | 带卷 (TR) |
噪声系数 | - |
增益 | 22.5dB |
封装/外壳 | NI-1230S |
晶体管类型 | LDMOS(双) |
标准包装 | 50 |
电压-测试 | 50V |
电压-额定 | 110V |
电流-测试 | 1.4A |
频率 | 860MHz |
额定电流 | 10µA |