Datasheet下载- 型号： 2SK3079ATE12LQ
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK3079ATE12LQ由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK3079ATE12LQ价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SK3079ATE12LQ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SK3079ATE12LQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK3079ATE12LQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SK3079ATE12LQ 是东芝（Toshiba Semiconductor and Storage）生产的一款射频MOSFET晶体管，主要用于高频射频（RF）功率放大应用。该器件适用于需要高效、高频率性能的通信系统，如无线基站、广播设备和工业射频设备。 此MOSFET具有良好的高频特性与热稳定性，适合用于UHF频段（超高频）及以下频段的信号放大。典型应用包括移动通信基础设施（如4G/5G基站）、射频测试仪器、无线发射模块以及广播发射机中的前级或驱动级放大电路。 其封装形式为表面贴装型（如SOT-89或类似），便于自动化生产和散热设计，适用于中等功率射频放大场景。由于其具备良好的线性度和效率，也常用于需要高保真信号放大的专业通信设备中。 总结而言，2SK3079ATE12LQ 主要应用于通信设备中的射频功率放大环节，尤其适用于对性能和稳定性有较高要求的无线基础设施领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSF RF N CH 10V PW-X |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2SK3079ATE12LQ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | PW-X |
| 其它名称 | 2SK3079ATE12LQDKR |
| 功率-输出 | 33.5dBmW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13.5dB |
| 封装/外壳 | TO-271AA |
| 晶体管类型 | N 通道 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 4.5V |
| 电压-额定 | 10V |
| 电流-测试 | 50mA |
| 频率 | 470MHz |
| 额定电流 | 3A |
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