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  • 型号: BLF6G22LS-40P,118
  • 制造商: NXP Semiconductors
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BLF6G22LS-40P,118产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G22LS-40P,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G22LS-40P,118价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G22LS-40P,118封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet LDMOS(双),共源 28V 410mA 2.11GHz ~ 2.17GHz 19dB 13.5W LDMOST。您可以下载BLF6G22LS-40P,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BLF6G22LS-40P,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BLF6G22LS-40P,118 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款射频晶体管,属于 FET(场效应晶体管)和 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别。这款器件专为高频、高功率射频应用设计,具有以下典型应用场景:

 1. 射频功率放大器 (RF Power Amplifiers)
   - BLF6G22LS-40P,118 可用于设计高性能的射频功率放大器,适用于通信系统中的信号增强。
   - 其工作频率范围通常在 VHF 和 UHF 波段(如 30 MHz 至 3 GHz),适合需要高增益和高效率的场景。

 2. 广播设备
   - 在 FM 广播或电视广播系统中,该器件可用作发射机的功率放大级。
   - 提供稳定的输出功率,确保广播信号覆盖范围广且质量高。

 3. 无线通信
   - 适用于蜂窝基站、无线电中继站和其他无线通信基础设施。
   - 支持 LTE、5G 或其他现代通信标准中的射频信号处理。

 4. 工业、科学和医疗 (ISM) 领域
   - 在 ISM 频段(如 2.4 GHz 或 5.8 GHz)中,可用于微波加热、等离子体生成或医疗设备的射频能量源。

 5. 雷达系统
   - 由于其高功率和高效率特性,BLF6G22LS-40P,118 可用于雷达发射机中,提供强大的射频信号输出。
   - 适用于气象雷达、空中交通管制雷达或其他类型的探测系统。

 6. 业余无线电 (Ham Radio)
   - 射频爱好者可以使用该晶体管构建高功率线性放大器,以增强业余无线电通信的距离和可靠性。

 性能特点
- 高功率输出:能够处理高达几十瓦的射频功率。
- 高效率:在高频条件下保持较高的能量转换效率。
- 宽频带支持:适应多种频率范围的应用需求。
- 优异的热性能:内置良好的散热设计,确保长时间稳定运行。

总之,BLF6G22LS-40P,118 是一款功能强大的射频 MOSFET,广泛应用于需要高功率、高效率射频信号处理的领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1121B

产品分类

RF FET

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

BLF6G22LS-40P,118

PCN封装

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PCN组件/产地

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

CDFM4

其它名称

568-8666-1

功率-输出

13.5W

包装

剪切带 (CT)

噪声系数

-

增益

19dB

封装/外壳

SOT-1121B

晶体管类型

LDMOS(双)

标准包装

1

电压-测试

28V

电压-额定

65V

电流-测试

410mA

频率

2.11GHz ~ 2.17GHz

额定电流

16A

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