【未分类_MRF6V14300HR3】封装/厂家_MRF6V14300HR3中文资料_价格

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型号： MRF6V14300HR3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6V14300HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6V14300HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF6V14300HR3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF6V14300HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6V14300HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF6V14300HR3 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频（RF）LDMOS MOSFET，专为高频、高功率放大应用设计。其典型工作频率范围为1.2–1.4 GHz（支持L波段），输出功率达300 W（连续波），具备高增益（约17 dB）、高漏极效率（典型值65%）及优异的热稳定性和可靠性。

主要应用场景包括：  
✅ 雷达系统：广泛用于军用与民用雷达发射模块，如空中交通管制（ATC）、气象雷达和地面监视雷达，满足脉冲功率、线性度和长期可靠性的严苛要求；  
✅ 无线通信基站：适用于大功率宏基站的L波段功率放大器（PA），尤其在早期TDD-LTE或专用宽带通信系统中作为末级功放；  
✅ 工业与科学射频源：如等离子体发生器、MRI射频激励源、粒子加速器驱动放大器等需要稳定高功率RF输出的设备；  
✅ 电子对抗（EW）与测试仪器：作为宽带高功率信号源或干扰发射模块的核心器件。

该器件采用陶瓷金属封装（NI-780H），支持风冷/水冷安装，符合RoHS标准，具备出色的抗负载失配能力（VSWR ≥ 10:1耐受），适合高可靠性、高功率密度的射频发射场景。需配合匹配网络、偏置电路及高效散热方案使用。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 50V NI780
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF6V14300HR3
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-780
功率-输出	330W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	18dB
封装/外壳	NI-780
晶体管类型	LDMOS
标准包装	250
电压-测试	50V
电压-额定	100V
电流-测试	150mA
频率	1.4GHz
额定电流	10µA