Datasheet下载- 型号： BLM7G22S-60PBY
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLM7G22S-60PBY由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLM7G22S-60PBY价格参考。NXP SemiconductorsBLM7G22S-60PBY封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLM7G22S-60PBY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLM7G22S-60PBY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLM7G22S-60PBY是Ampleon USA Inc.生产的一款射频MOSFET晶体管，主要应用于高功率射频放大器中。该器件适用于L波段至S波段的频率范围，具备高效率、高线性度和高可靠性等特点。 其典型应用场景包括： 1. 通信基站：用于4G/5G蜂窝通信系统的射频功率放大器，提供高效率和线性放大能力，以满足现代通信对高数据速率和频谱效率的要求。 2. 广播发射机：适用于数字广播（如DAB、HD Radio）和电视广播发射系统，提供稳定可靠的高功率输出。 3. 工业与医疗设备：用于射频能量应用，如工业加热、等离子体生成、MRI磁共振成像系统中的射频功率放大模块。 4. 测试与测量设备：作为信号发生器或功率放大模块，用于实验室环境中的射频性能测试与验证。 5. 雷达系统：适用于气象雷达、空中交通管制雷达等需要高功率脉冲放大的场景，具备良好的脉冲稳定性和热性能。 该器件采用先进的LDMOS工艺，具有良好的热稳定性和高耐用性，适合在高功率密度和高温环境下工作。其封装设计支持高效的散热管理，便于系统集成和维护。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MMIC DUAL 2-STAGE 16HSOP |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLM7G22S-60PBY |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 16-HSOP |
| 其它名称 | 934066082518 |
| 功率-输出 | 1.6W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 31.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-1212-1 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 75mA |
| 频率 | 2.4GHz |
| 额定电流 | - |
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