Datasheet下载- 型号： BLL1214-35,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLL1214-35,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLL1214-35,112价格参考。NXP SemiconductorsBLL1214-35,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLL1214-35,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLL1214-35,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc.的BLL1214-35,112是一款射频MOSFET晶体管，主要用于射频功率放大应用。该器件适用于需要高效、高线性度和高稳定性的射频系统设计。 典型应用场景包括： 1. 无线通信基站：用于4G/5G移动通信系统的基站功率放大器模块，提供高效的射频信号放大能力，满足高数据速率和覆盖范围的需求。 2. 广播设备：在FM广播或电视广播发射机中作为主功率放大器，提供稳定的高频输出，支持大范围信号传输。 3. 工业与医疗射频设备：如射频加热装置、等离子体发生器以及医疗治疗设备中的射频能量控制模块。 4. 测试与测量仪器：用于射频信号源或功率放大器模块，在实验室环境中进行信号放大与系统验证。 5. 军事与航空航天：用于雷达系统、电子战设备和卫星通信系统中，要求高可靠性与宽频率响应的场合。 该器件具备高增益、低失真和良好的热稳定性，适合在高功率密度环境下工作，是高性能射频系统的重要组成部分。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF LDMOS SOT467C |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLL1214-35,112 |
| PCN封装 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | LDMOST |
| 其它名称 | 568-2423 |
| 功率-输出 | 35W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13dB |
| 封装/外壳 | SOT467C |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 36V |
| 电压-额定 | 75V |
| 电流-测试 | 50mA |
| 频率 | 1.2GHz ~ 1.4GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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