Datasheet下载- 型号： PD85025TR-E
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PD85025TR-E由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD85025TR-E价格参考。STMicroelectronicsPD85025TR-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PD85025TR-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PD85025TR-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的PD85025TR-E是一款射频MOSFET晶体管，主要应用于射频（RF）功率放大领域。该器件适用于工作频率范围较宽的无线通信系统，如蜂窝基站、工业和医疗射频设备等场景。 PD85025TR-E具备高增益、高效率以及良好的热稳定性能，适合用于4G/5G移动通信基础设施中的射频功率放大器设计。其增强型LDMOS工艺结构使其在高频下仍能保持优异的线性度和输出功率表现，满足现代通信对高数据速率和信号质量的要求。 此外，该器件也可用于广播发射机、雷达系统、测试测量仪器等需要高效射频放大的场合。由于其封装形式为表面贴装型（SMD），便于自动化生产和小型化设计，广泛用于空间受限但性能要求高的射频模块中。 总之，PD85025TR-E适用于各类高性能射频功率放大应用，尤其适合现代通信基础设施建设。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PD85025TR-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | PowerSO-10RF（成形引线） |
| 其它名称 | 497-12514-6 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1821/PF178219?referrer=70071840 |
| 功率-输出 | 10W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.3dB |
| 封装/外壳 | PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线） |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 13.6V |
| 电压-额定 | 40V |
| 电流-测试 | 300mA |
| 频率 | 870MHz |
| 额定电流 | 7A |
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