Datasheet下载- 型号： VMMK-1225-TR1G
- 制造商： Avago Technologies
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VMMK-1225-TR1G由Avago Technologies设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VMMK-1225-TR1G价格参考。Avago TechnologiesVMMK-1225-TR1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载VMMK-1225-TR1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VMMK-1225-TR1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
VMMK-1225-TR1G是Broadcom Limited推出的一款射频MOSFET晶体管，属于高性能硅锗碳（SiGe:C）技术器件，广泛应用于高频、低噪声的射频前端电路中。该器件主要工作在直流至约40 GHz的宽频范围内，具备优异的增益、线性度和低噪声系数，适合毫米波通信系统。 典型应用场景包括： 1. 5G无线通信：用于毫米波基站和用户终端设备中的低噪声放大器（LNA）和驱动放大器，支持高速数据传输。 2. 点对点微波回传：在高频率无线回传链路中提供稳定信号放大，提升链路可靠性。 3. 卫星通信系统：适用于低地球轨道（LEO）卫星通信终端的射频前端，实现高效信号接收与发射。 4. 雷达与传感系统：在汽车雷达（如77GHz雷达）、工业雷达及成像系统中用作高频放大元件。 5. 测试与测量仪器：用于高频示波器、频谱分析仪等设备中的射频信号调理电路。 VMMK-1225-TR1G采用小型化表面贴装封装（SOT-343），便于高密度PCB布局，同时具备良好的热稳定性和可靠性。其单电源供电设计简化了电源管理，适合对空间和功耗敏感的高端射频应用。由于无需外部偏置电路，进一步降低了设计复杂度，加快产品开发周期。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | AMP RFIC LNA E-PHEMT 25GHZ 0402 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Avago Technologies US Inc. |
| 数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-1082EN |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | VMMK-1225-TR1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 0402 |
| 功率-输出 | 8dBm |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | 1dB |
| 增益 | 11dB |
| 封装/外壳 | 0402（1005 公制） |
| 晶体管类型 | E-pHEMT |
| 标准包装 | 5,000 |
| 电压-测试 | 2V |
| 电压-额定 | 5V |
| 电流-测试 | 20mA |
| 频率 | 12GHz |
| 额定电流 | 50mA |
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