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型号： MRFE6VS25LR5
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6VS25LR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6VS25LR5价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6VS25LR5封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频，射频 Mosfet LDMOS 50V 10mA 512MHz 25.9dB 25W NI-360。您可以下载MRFE6VS25LR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6VS25LR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRFE6VS25LR5 是 NXP USA Inc. 生产的一款高功率 LDMOS 射频晶体管，属于射频 MOSFET 器件，广泛应用于高频率、高功率的射频放大场合。其主要应用场景包括：

1. 广播发射系统：该器件适用于 FM 广播发射机（87.5–108 MHz 频段），能够提供高达 250W 的连续波输出功率，具备高效率和良好的线性度，适合大功率调频广播基站使用。

2. 工业与医疗设备：可用于射频能量应用，如工业加热、等离子体生成以及医疗射频治疗设备，因其在 VHF 频段表现稳定，能承受高驻波比（VSWR），可靠性强。

3. 航空与国防通信：适用于需要高可靠性和宽温度范围工作的军用或航空通信系统，支持 HF 到 VHF 频段的高功率放大需求。

4. 数字电视发射（DVB-T, ATSC）：可作为 UHF/VHF 频段电视发射机的末级功率放大器，满足现代数字电视广播对高效率和低失真的要求。

MRFE6VS25LR5 采用陶瓷封装，具有出色的散热性能和耐用性，可在恶劣环境下稳定运行。其内部集成输入匹配网络，简化了外部电路设计，降低了系统复杂度。此外，该器件具备良好的抗过载和抗反射能力，即使在天线失配情况下也能安全工作，提高了系统整体可靠性。

综上，MRFE6VS25LR5 主要用于广播、通信、工业和国防等领域的大功率射频放大系统，是高性能、高稳定性射频功率放大的优选器件。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	FET VHV6E 25W 50V NI360L射频MOSFET晶体管 VHV6E 25W50V NI360L
产品分类	RF FET分离式半导体
品牌	Freescale Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,Freescale Semiconductor MRFE6VS25LR5-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	MRFE6VS25LR5
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	140 V
Vds-漏源极击穿电压	140 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	2 V
Vgsth-栅源极阈值电压	2 V
产品种类	射频MOSFET晶体管
产品类型	RF Power LDMOS Transistor
供应商器件封装	NI-360
功率-输出	25W
包装	带卷（TR）
单位重量	3 g
商标	Freescale Semiconductor
噪声系数	-
增益	25.9 dB
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	NI-360
封装/箱体	NI-360-2
工厂包装数量	50
技术	LDMOS
晶体管极性	N-Channel
晶体管类型	LDMOS Power
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 40 C
标准包装	50
汲极/源极击穿电压	140 V
电压-测试	50V
电压-额定	133V
电流-测试	10mA
系列	MRFE6VS25N
配置	Single
频率	1.8 MHz to 2000 MHz
额定电流	7µ