Datasheet下载- 型号： BLF7G21L-160P,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G21L-160P,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G21L-160P,118价格参考。NXP SemiconductorsBLF7G21L-160P,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF7G21L-160P,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF7G21L-160P,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的 BLF7G21L-160P,118 是一款高性能射频功率MOSFET晶体管，主要用于工作在L波段至S波段（约2.1–2.5 GHz）的高功率射频放大器应用。该器件基于先进的LDMOS技术，具有高效率、高增益和出色的热稳定性，适用于需要大功率输出和可靠性能的场景。 典型应用场景包括： 1. 无线通信基础设施：用于4G LTE及5G基站的功率放大器模块，特别是在宏蜂窝基站中作为主放大器，提供高线性度和能效，支持大容量数据传输。 2. 广播与公共安全通信系统：适用于地面数字电视（DTMB、DVB-T/T2）发射机以及公共安全网络（如TETRA、P25）中的高稳定射频输出。 3. 工业与医疗设备：可用于射频能量应用，如等离子体生成、工业加热或医疗射频治疗设备，其高可靠性确保长时间连续运行。 4. 航空与国防领域：在雷达系统、电子战设备和战术通信系统中，BLF7G21L-160P可提供稳定的高功率射频输出，适应严苛环境要求。 该器件采用紧凑的陶瓷封装（SOT502），具备良好的散热性能，适合风冷或导热安装。其高耐用性和抗负载失配能力使其在复杂阻抗环境下仍保持稳定工作。总体而言，BLF7G21L-160P,118 是面向高要求射频功率应用的理想选择，广泛服务于通信、广播、工业及国防等多个关键领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS LDMOS SOT1121A |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF7G21L-160P,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | LDMOST |
| 其它名称 | 934065239118 |
| 功率-输出 | 45W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18dB |
| 封装/外壳 | SOT-1121A |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.08A |
| 频率 | 1.93GHz ~ 1.99GHz |
| 额定电流 | 32.5A |
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