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Datasheet下载- 型号： SI3993CDV-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3993CDV-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3993CDV-T1-GE3价格参考。VishaySI3993CDV-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 2.9A 1.4W 表面贴装 6-TSOP。您可以下载SI3993CDV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3993CDV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI3993CDV-T1-GE3是一款双通道N沟道MOSFET阵列，广泛应用于多种电子设备和系统中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理 SI3993CDV-T1-GE3适用于各种电源管理电路，如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电池管理系统等。该器件具有低导通电阻（Rds(on)），能够有效减少功率损耗，提高电源转换效率。它还可以用于负载开关，控制电源的接通与断开，确保系统的稳定性和安全性。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，SI3993CDV-T1-GE3可以作为H桥或半桥驱动器的一部分，用于控制电机的正反转和速度调节。其低导通电阻有助于减少发热，延长电机的使用寿命，并且能够承受较大的电流冲击。 3. 信号切换 该器件也可用于信号切换电路，例如在音频设备、通信设备或测试仪器中，实现不同信号路径之间的快速切换。由于其快速开关特性，可以在高频信号处理中保持良好的性能，避免信号失真。 4. 保护电路 SI3993CDV-T1-GE3常用于过流保护、短路保护等电路中。当检测到异常电流时，可以通过关闭MOSFET来切断电流路径，保护下游电路免受损坏。此外，它还可以用于热插拔保护，防止设备在带电状态下插入或拔出时产生浪涌电流。 5. 便携式设备 在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中，SI3993CDV-T1-GE3可用于电源管理和电池充电控制。其小封装尺寸（TSSOP-8）和低功耗特性使得它非常适合空间有限且对能效要求较高的便携式设备。 总之，SI3993CDV-T1-GE3凭借其出色的电气性能和紧凑的封装，成为许多高性能、高可靠性应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6-TSOPMOSFET 20V 2.2A DUAL PCH |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.2 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72320 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3993CDV-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI3993CDV-T1-GE3SI3993CDV-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.15 W |
| Pd-功率耗散 | 1.15 W |
| Qg-GateCharge | 3.1 nC |
| Qg-栅极电荷 | 3.1 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 133 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 133 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1 V to - 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1 V to - 3 V |
| 上升时间 | 16 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 210pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 111 毫欧 @ 2.5A， 10V |
| 产品种类 | Dual MOSFETs |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 典型关闭延迟时间 | 17 ns |
| 功率-最大值 | 1.4W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 4 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.9A |
| 系列 | SI3993CDV |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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