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Datasheet下载- 型号： RFM03U3CT(TE12L)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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RFM03U3CT(TE12L)产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RFM03U3CT(TE12L)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RFM03U3CT(TE12L)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RFM03U3CT(TE12L)封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet N 通道 3.6V 500mA 520MHz 14.8dB 3W RF-CST3。您可以下载RFM03U3CT(TE12L)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RFM03U3CT(TE12L) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 RFM03U3CT(TE12L) 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌射频 MOSFET 晶体管，主要应用于 高频射频功率放大 领域。该器件属于射频场效应晶体管（RF MOSFET），适用于需要高效、高频率响应的无线通信系统。 其主要应用场景包括： 1. 无线通信基础设施：如蜂窝基站、微波通信设备等，用于信号的射频功率放大，保障信号传输的稳定性和覆盖范围； 2. 射频测试设备：用于射频信号发生器、功率放大器模块，为测试和测量设备提供可靠的射频输出； 3. 工业射频设备：如射频加热装置、工业传感器等，支持高频能量输出与控制； 4. 广播与电视发射设备：用于射频信号放大，支持调频广播、数字电视等发射系统； 5. 军事与航空航天领域：用于雷达、导航系统中的射频功率放大模块，满足高可靠性和稳定性要求。 该晶体管具有良好的高频特性与热稳定性，适合在需要中等功率输出和高效率的射频电路中使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH RF-CST3 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RFM03U3CT(TE12L) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | RF-CST3 |
| 其它名称 | RFM03U3CT(TE12L)CT |
| 功率-输出 | 3W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.8dB |
| 封装/外壳 | 2-SMD，无引线，裸露焊盘 |
| 晶体管类型 | N 通道 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 3.6V |
| 电压-额定 | 16V |
| 电流-测试 | 500mA |
| 频率 | 520MHz |
| 额定电流 | 3A |
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