Datasheet下载- 型号： BLS6G2735L-30,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLS6G2735L-30,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLS6G2735L-30,112价格参考。NXP SemiconductorsBLS6G2735L-30,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLS6G2735L-30,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLS6G2735L-30,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLS6G2735L-30,112 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款射频晶体管，属于 FET（场效应晶体管）和 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该型号专为高频射频应用设计，具有高功率处理能力、高效能和低失真的特点，适用于以下主要应用场景： 1. 射频功率放大器 (RF PA) BLS6G2735L-30,112 广泛用于射频功率放大器的设计，尤其是在需要高功率输出的场景中。其工作频率范围和高效率使其成为无线通信系统中的理想选择。 2. 蜂窝基站 该器件可应用于 2G、3G、4G 和部分 5G 基站的射频功率放大模块。其高线性度和稳定性能够支持高质量的信号传输，满足现代通信网络对带宽和效率的要求。 3. 广播系统 在 FM/AM 广播系统中，这款 MOSFET 可用作功率放大器的核心组件，提供稳定的射频输出以覆盖广泛的区域。 4. 工业、科学和医疗 (ISM) 领域 BLS6G2735L-30,112 适合用于 ISM 频段的应用，例如无线能量传输、等离子体生成和医疗设备中的射频加热或消融技术。 5. 航空与国防 在雷达系统、卫星通信和军用无线电设备中，该晶体管的高性能和可靠性确保了关键任务的顺利执行。 6. 测试与测量设备 射频信号发生器、频谱分析仪等测试设备可能采用此型号来生成高精度的射频信号或放大微弱信号。 总结来说，BLS6G2735L-30,112 主要针对高频、高功率的射频应用，特别适合需要高效能、高线性度和稳定性的通信、广播及工业领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS S-BAND PWR ACC-2 SOT1135 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLS6G2735L-30,112 |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM2 |
| 其它名称 | 568-9931-5 |
| 功率-输出 | 30W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13dB |
| 封装/外壳 | SOT-1135A |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 32V |
| 电压-额定 | 60V |
| 电流-测试 | 50mA |
| 频率 | 2.7GHz ~ 3.5GHz |
| 额定电流 | - |
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