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产品简介:
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型号为MRF8P20100HR3、品牌为NXP USA Inc.的射频MOSFET晶体管,主要应用于高功率射频领域。该器件典型用于2GHz以下的射频功率放大,常见于无线通信基础设施,如蜂窝基站(4G LTE、5G)、广播发射机和工业射频能量应用。其高效率和高耐用性也使其适用于雷达系统和测试设备中的射频放大模块。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | FET RF N-CH 2025MHZ 28V NI780H-4 |
产品分类 | RF FET |
品牌 | Freescale Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MRF8P20100HR3 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | NI-780-4 |
功率-输出 | 20W |
包装 | 带卷 (TR) |
噪声系数 | - |
增益 | 16dB |
封装/外壳 | NI-780-4 |
晶体管类型 | LDMOS(双) |
标准包装 | 250 |
电压-测试 | 28V |
电压-额定 | 65V |
电流-测试 | 400mA |
频率 | 2.03GHz |
额定电流 | - |