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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NE5550979A-A由CEL设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE5550979A-A价格参考。CELNE5550979A-A封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NE5550979A-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NE5550979A-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NE5550979A-A是由CEL(California Eastern Laboratories)生产的射频晶体管,属于FET(场效应晶体管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别。这种器件主要用于高频信号处理领域,特别是在射频(RF)应用中表现优异。以下是其主要应用场景: 1. 射频放大器 - NE5550979A-A适用于低噪声放大器(LNA)的设计,能够有效放大微弱的射频信号,同时保持较低的噪声水平。 - 在功率放大器中,该器件可以用于提高信号强度,以满足通信系统对传输距离的要求。 2. 无线通信设备 - 广泛应用于无线通信模块,例如Wi-Fi、蓝牙、Zigbee等短距离无线技术中的信号处理。 - 可用于蜂窝通信基站或移动终端中的射频前端电路,提升信号质量与稳定性。 3. 雷达与导航系统 - 在雷达系统中,作为关键的射频组件,用于信号发射与接收的放大和调制。 - 在GPS或其他卫星导航设备中,参与射频信号的处理与转换。 4. 射频开关 - 由于其快速开关特性和低插入损耗,NE5550979A-A可用于设计高效的射频开关,实现多频段或多模式切换功能。 5. 混频器与调制解调器 - 在射频混频器中,该器件可用于将射频信号转换为中频信号,或者反之。 - 支持调制解调器中的信号调制与解调过程,确保数据传输的准确性。 6. 测试与测量仪器 - 在频谱分析仪、网络分析仪等测试设备中,用作核心射频信号处理单元,提供高精度的信号放大与滤波。 7. 物联网(IoT)设备 - 随着物联网的发展,NE5550979A-A被广泛应用于各种智能设备的射频模块中,支持高效的数据传输与连接。 总结 NE5550979A-A凭借其卓越的射频性能、低噪声特性和高可靠性,成为现代通信与电子系统中的重要元件。它在无线通信、雷达、导航、测试测量以及物联网等领域有着广泛的应用前景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | IC FET LDMOS 30V 3.0A 79A-PKG |
产品分类 | RF FET |
品牌 | CEL |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NE5550979A-A |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 79A |
其它名称 | NE5550979AA |
功率-输出 | 38.6dBm |
包装 | 散装 |
噪声系数 | - |
增益 | 22dB |
封装/外壳 | 4-SMD,扁平引线 |
晶体管类型 | LDMOS |
标准包装 | 1 |
电压-测试 | 7.5V |
电压-额定 | 30V |
电流-测试 | 200mA |
频率 | 900MHz |
额定电流 | 3A |