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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SBCP68T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SBCP68T1G价格参考¥0.32-¥0.32。ON SemiconductorSBCP68T1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 20V 1A 60MHz 1.5W 表面贴装 SOT-223。您可以下载SBCP68T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SBCP68T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 20V 1A SOT223两极晶体管 - BJT LOW Voltg-HIGH CURRENT |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor SBCP68T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SBCP68T1G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 100mA,1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 85 @ 500mA,1V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | SBCP68T1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 VDC |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 60 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 1.5 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 20V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 1A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 10µA (ICBO) |
| 直流电流增益hFE最大值 | 375 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 85 |
| 系列 | BCP68 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 20 VDC |
| 集电极—基极电压VCBO | 25 VDC |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.5 VDC |
| 集电极连续电流 | 1 A |
| 频率-跃迁 | 60MHz |