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Datasheet下载- 型号： PD55035S-E
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PD55035S-E由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD55035S-E价格参考。STMicroelectronicsPD55035S-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PD55035S-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PD55035S-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的PD55035S-E是一款射频MOSFET器件，属于晶体管中的射频功率场效应管（RF MOSFET），主要用于高频信号放大和射频功率处理场景。该器件适用于工作在VHF/UHF频段的无线通信系统，广泛应用于工业、科学和医疗（ISM）频段设备中。 典型应用场景包括：射频能量应用如感应加热、等离子发生和射频激励源；无线基础设施中的射频功率放大模块；以及高频率工业设备中的射频电源驱动单元。此外，PD55035S-E也适用于需要高效率和高稳定性的射频功率输出系统，如小型广播发射机、射频加热装置和射频等离子体生成设备。 该器件具备良好的热稳定性和高功率增益，适合在连续波（CW）和脉冲模式下工作，能在较高频率范围内保持优异性能。其坚固的制造工艺和可靠的封装形式使其适应严苛的工作环境，适用于对可靠性和长期稳定性要求较高的工业级应用。 总之，PD55035S-E主要面向工业射频能量、专业通信设备及高频功率转换系统，是高性能射频功率放大的理想选择之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PD55035S-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PowerSO-10RF（直引线） |
| 其它名称 | 497-5303-5 |
| 功率-输出 | 35W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16.9dB |
| 封装/外壳 | PowerSO-10 裸露底部焊盘 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 12.5V |
| 电压-额定 | 40V |
| 电流-测试 | 200mA |
| 频率 | 500MHz |
| 额定电流 | 7A |
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