ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 > 3SK293(TE85L,F)
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Datasheet下载- 型号： 3SK293(TE85L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3SK293(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3SK293(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.3SK293(TE85L,F)封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet N 通道双门 6V 10mA 800MHz 22dB USQ。您可以下载3SK293(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3SK293(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3SK293(TE85L,F)是东芝半导体与存储公司（Toshiba Semiconductor and Storage）生产的一款N沟道MOSFET射频晶体管，属于小型表面贴装器件，适用于高频、低功耗的射频应用场景。该器件采用SOT-23封装，具有体积小、响应速度快、噪声低等特点，适合在便携式和高密度电路板设计中使用。 主要应用场景包括：无线通信设备中的射频信号开关、低噪声放大器（LNA）、天线调谐电路以及高频振荡电路等。常见于智能手机、平板电脑、无线模块（如Wi-Fi、蓝牙、ZigBee）、GPS接收器和其他便携式无线终端设备中。由于其良好的高频特性和较低的导通电阻，3SK293(TE85L,F)能够在射频频段内实现高效信号控制与传输，提升系统整体灵敏度与稳定性。 此外，该器件也适用于需要快速开关动作的小信号处理场合，例如射频前端模块（RF Front-End Module）中的信号路由切换。其工作频率范围宽，适合UHF及部分微波频段应用，同时具备良好的温度稳定性和可靠性，满足消费类电子和工业级产品对性能与耐用性的要求。 综上所述，3SK293(TE85L,F)是一款适用于高频、低功率射频系统的MOSFET器件，广泛用于现代无线通信设备中，尤其适合对空间和功耗敏感的便携式电子产品。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSF N CH 12.5V 30MA USQ射频MOSFET晶体管 N-Ch High Freq 30mA 0.1W 12.5V |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 30 mA |
| Id-连续漏极电流 | 30 mA |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/lookup.jsp?pid=3SK293&lang=en |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,Toshiba 3SK293(TE85L,F)- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=3SK293 |
| 产品型号 | 3SK293(TE85L,F)3SK293(TE85L,F) |
| Pd-PowerDissipation | 100 mW |
| Pd-功率耗散 | 100 mW |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 产品类型 | High Frequency MOSFET |
| 供应商器件封装 | USQ |
| 其它名称 | 3SK293(TE85LF)DKR |
| 功率-输出 | - |
| 功率耗散 | 100 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Toshiba |
| 噪声系数 | 2.5dB |
| 增益 | 22dB22.5 dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-82A，SOT-343 |
| 封装/箱体 | SOT-343 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | N 通道双门 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏极连续电流 | 30 mA |
| 电压-测试 | 6V |
| 电压-额定 | 12.5V |
| 电流-测试 | 10mA |
| 类型 | TV UHF Amplifier |
| 配置 | Dual |
| 频率 | 800MHz800 MHz |
| 额定电流 | 30mA |
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