Datasheet下载- 型号： BLS6G2731-120,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLS6G2731-120,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLS6G2731-120,112价格参考。NXP SemiconductorsBLS6G2731-120,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLS6G2731-120,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLS6G2731-120,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
品牌为Ampleon USA Inc.、型号为BLS6G2731-120,112的器件属于射频场效应晶体管（RF FET），具体为射频MOSFET。该器件主要用于高功率射频放大应用，适用于工作频率在UHF至微波频段的场景。 其典型应用场景包括： 1. 广播发射机：用于FM和TV广播发射系统中的高功率射频放大，提供高效稳定的信号输出。 2. 工业加热设备：在射频能量应用中，如材料加热、等离子体生成等领域，作为功率放大器使用。 3. 无线基础设施：用于基站、通信中继设备中的射频功率放大模块，支持无线信号的远距离传输。 4. 测试与测量设备：在射频测试系统中作为高功率信号放大单元，用于模拟真实工作环境。 5. 军用与航空航天：用于雷达、电子对抗系统等对高可靠性要求的射频功率放大场合。 该器件具有高效率、高增益和良好热稳定性的特点，适合连续波（CW）或脉冲工作模式，广泛应用于需要高功率输出和稳定性能的射频系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS S-BAND PWR LDMOS SOT502A |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLS6G2731-120,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | LDMOST |
| 其它名称 | 934061525112 |
| 功率-输出 | 120W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-502A |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 32V |
| 电压-额定 | 60V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 2.7GHz ~ 3.1GHz |
| 额定电流 | 33A |
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