Datasheet下载- 型号： BLF6G22L-40BN,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G22L-40BN,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G22L-40BN,118价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G22L-40BN,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF6G22L-40BN,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G22L-40BN,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的 BLF6G22L-40BN,118 是一款高性能射频功率 MOSFET 晶体管，主要用于高频率、高功率的射频放大应用。该器件工作频率可达 2.2 GHz，输出功率高达 400 W（连续波），具有高效率和良好的热稳定性，适用于需要大功率射频输出的关键场景。 其主要应用场景包括： 1. 广播发射系统：用于 FM 广播和数字音频广播（DAB）发射机中的射频功率放大级，提供稳定高效的信号放大能力。 2. 工业加热与等离子发生：在射频感应加热、介质加热及等离子体生成设备中作为核心功率器件，实现能量高效转换。 3. 航空与国防雷达系统：适用于地面或舰载雷达的发射模块，支持脉冲和连续波操作，满足高可靠性要求。 4. 无线通信基础设施：可用于某些专用通信基站或高功率中继系统，特别是在 L 波段至 S 波段的应用中表现优异。 BLF6G22L-40BN,118 采用坚固的陶瓷封装，具备优良的散热性能和抗电磁干扰能力，适合在严苛环境中长期运行。其设计支持高电压操作（通常为50V漏极电压），并具备良好的耐用性和线性度，便于集成到各类射频放大器电路中。总体而言，该器件广泛应用于对功率、效率和可靠性要求较高的专业射频领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS LDMOS SOT1112A |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF6G22L-40BN,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM6 |
| 其它名称 | 934064313118 |
| 功率-输出 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19dB |
| 封装/外壳 | SOT-1112A |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 345mA |
| 频率 | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| 额定电流 | 10A |
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