【未分类_MRF154】封装/厂家_MRF154中文资料_价格

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型号： MRF154
制造商： M/A-COM
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF154由M/A-COM设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF154价格参考。M/A-COMMRF154封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF154参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF154 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

M/A-Com Technology Solutions（现为MACOM的一部分）的MRF154是一款射频（RF）功率MOSFET晶体管，广泛应用于射频功率放大领域。该器件设计用于在VHF（甚高频）和UHF（超高频）频段下工作，具备良好的线性度和高功率输出能力。

MRF154的主要应用场景包括：

1. 广播发射机：用于AM、FM或电视广播发射系统中的射频功率放大模块，提供高稳定性和高效率的信号放大。

2. 通信基础设施：如蜂窝基站、中继器和无线接入系统中的射频功放部分，适用于需要高线性放大和可靠性的场景。

3. 工业与测试设备：用于射频测试仪器、信号发生器、功率放大器模块等，支持实验室和工业环境下的射频测试与测量。

4. 军事与航空航天：在雷达、电子战系统和通信设备中，MRF154可用于中功率射频放大，满足对器件性能和可靠性的高标准要求。

5. 业余无线电设备：被用于高性能业余无线电发射装置中，为无线电爱好者提供稳定的射频输出。

该器件具有高增益、低失真和良好的热稳定性，适合需要连续波（CW）或脉冲操作的应用场景。由于其良好的封装设计和散热性能，MRF154在多种射频功率放大应用中具有较高的实用价值和可靠性。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	FET RF N-CH 50V 600W 368-03射频MOSFET晶体管
产品分类	RF FET分离式半导体
Id-ContinuousDrainCurrent	60 A
Id-连续漏极电流	60 A
品牌	MACOMM/A-Com Technology Solutions
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,MACOM MRF154-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	MRF154MRF154
Pd-PowerDissipation	1350 W
Pd-功率耗散	1350 W
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	125 V
Vds-漏源极击穿电压	125 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 40 V
Vgs-栅源极击穿电压	+/- 40 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	3 V
Vgsth-栅源极阈值电压	3 V
产品种类	射频MOSFET晶体管
供应商器件封装	368-03， 2 型
其它名称	1465-1156
功率-输出	600W
功率耗散	1350 W
包装	托盘
商标	MACOM
噪声系数	-
增益	17dB17 dB
封装/外壳	368-03
封装/箱体	Case 368-3
工厂包装数量	2
技术	MOSFET
晶体管极性	N-Channel
晶体管类型	N 通道
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 65 C
标准包装	6
汲极/源极击穿电压	125 V
漏极连续电流	60 A
电压-测试	50V
电压-额定	125V
电流-测试	800mA
类型	Broadband RF Power FET
输出功率	600 W
配置	Single
闸/源击穿电压	+/- 40 V
频率	2MHz ~ 100MHz80 MHz
额定电流	60A