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- 型号： BLF8G10LS-270GV,12
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF8G10LS-270GV,12由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF8G10LS-270GV,12价格参考。NXP SemiconductorsBLF8G10LS-270GV,12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF8G10LS-270GV,12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF8G10LS-270GV,12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的射频MOSFET晶体管BLF8G10LS-270GV,12是一款高性能的氮化镓（GaN）基射频功率晶体管，广泛应用于高频率、高功率的无线通信系统中。该器件工作频率范围宽，典型用于L波段至S波段（约1–3 GHz），具备高增益、高效率和出色的热稳定性。 其主要应用场景包括：陆地移动无线电（如公共安全通信、应急通信系统）、广播发射机（如数字电视和调频广播）、工业加热与等离子体生成设备，以及军用雷达和电子战系统。此外，该器件也适用于需要高可靠性和连续波（CW）或脉冲操作能力的基站和远程通信基础设施。 BLF8G10LS-270GV,12采用先进的封装技术，支持高效的散热管理，适合在严苛环境条件下长期稳定运行。其高功率输出（可达数百瓦）和优异的线性性能，使其成为4G/5G基站扩展、高密度信号覆盖方案中的关键元件之一。同时，该器件符合工业级可靠性标准，适用于对系统稳定性要求极高的专业通信领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF POWER 270W ACC-6L |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF8G10LS-270GV,12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM6 |
| 其它名称 | 934066908127 |
| 功率-输出 | 270W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-1244C |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 24 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 2A |
| 频率 | 922.5MHz ~ 957.5MHz |
| 额定电流 | - |
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