Datasheet下载- 型号： MRFE6VP8600HR6
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6VP8600HR6由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6VP8600HR6价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6VP8600HR6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFE6VP8600HR6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6VP8600HR6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc.生产的型号为MRFE6VP8600HR6的射频MOSFET晶体管，主要应用于高频、高功率射频放大器领域。以下是其典型的应用场景： 1. 无线通信基站：该器件适用于2G、3G和4G基站中的射频功率放大器（RF PA），提供高效的信号放大功能，满足基站对高输出功率和低失真的需求。 2. 广播系统：用于调频（FM）和电视广播的发射机中，作为核心功率放大元件，确保信号覆盖范围广且质量稳定。 3. 航空与国防：在雷达系统、卫星通信以及军事通信设备中，该MOSFET可实现高性能的射频信号处理，支持长距离传输和精准控制。 4. 工业加热与等离子体应用：例如无线电频率感应加热（RF Induction Heating）或等离子体生成装置中，需要高效率的能量转换时，此器件能够胜任。 5. 业余无线电设备：供无线电爱好者使用的高功率发射机内，作为末级功率放大器的一部分，提升信号强度以扩展通讯距离。 6. 测试测量仪器：如矢量网络分析仪、频谱分析仪等高端测试设备中，用作内置信号源或外部扩展模块里的功率放大组件。 MRFE6VP8600HR6凭借其卓越的电气特性（如高击穿电压、大电流承载能力和良好的热稳定性），成为上述应用场景的理想选择。它能够在较宽的工作频率范围内保持高效能表现，同时具备优异的线性度和可靠性，非常适合要求严格的射频功率应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | RF FET LDMOS 50V NI1230H |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRFE6VP8600HR6 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-1230 |
| 功率-输出 | 125W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19.3dB |
| 封装/外壳 | NI-1230 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 150 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 130V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 860MHz |
| 额定电流 | - |
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