【未分类_MW6S010NR1】封装/厂家_MW6S010NR1中文资料_价格

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型号： MW6S010NR1
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MW6S010NR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MW6S010NR1价格参考。Freescale SemiconductorMW6S010NR1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MW6S010NR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MW6S010NR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc. 生产的型号为 MW6S010NR1 的晶体管属于 FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别，专为射频（RF）应用设计。以下是该型号的主要应用场景：

 1. 射频功率放大器 (RF Power Amplifiers)
   - MW6S010NR1 适用于射频功率放大器的设计，特别是在无线通信系统中。其高频率特性和低导通电阻使其成为高效放大射频信号的理想选择。
   - 应用领域包括蜂窝基站、无线基础设施和卫星通信设备。

 2. 无线通信设备
   - 该器件可广泛应用于各种无线通信设备，如 LTE、5G 基站、Wi-Fi 路由器和物联网 (IoT) 设备。
   - 其高性能和稳定性确保了在高频段下信号传输的可靠性和效率。

 3. 雷达系统
   - 在军事和民用雷达系统中，MW6S010NR1 可用于射频信号的发射和接收模块，提供高效的功率转换和稳定的性能。
   - 特别适合需要高增益和低失真的场景。

 4. 射频开关 (RF Switches)
   - 由于其快速开关特性和低插入损耗，该 MOSFET 可用于射频开关的应用，例如天线切换和多路复用器设计。
   - 适用于手机、平板电脑和其他便携式电子设备中的射频前端模块。

 5. 射频能量应用
   - 在新兴的射频能量领域，例如无线充电、等离子体生成和射频烹饪设备中，MW6S010NR1 提供了高效的能量转换能力。

 6. 测试与测量设备
   - 该器件可用于高端测试与测量仪器中，例如频谱分析仪和信号发生器，以实现高精度的射频信号处理。

 总结
MW6S010NR1 是一款专为高频射频应用设计的高性能 MOSFET，具有低导通电阻、高效率和优异的热性能。它广泛应用于通信、雷达、无线充电、测试测量等领域，能够满足现代射频系统对性能和可靠性的严格要求。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-2
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MW6S010NR1
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	TO-270-2
其它名称	MW6S010NR1DKR
功率-输出	10W
包装	Digi-Reel®
噪声系数	-
增益	18dB
封装/外壳	TO-270AA
晶体管类型	LDMOS
标准包装	1
电压-测试	28V
电压-额定	68V
电流-测试	125mA
频率	960MHz
额定电流	10µA