Datasheet下载- 型号： MRF9060NR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF9060NR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF9060NR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF9060NR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF9060NR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF9060NR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF9060NR1 是恩智浦（NXP Semiconductors）推出的一款高性能射频（RF）横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOS FET），专为高功率、高效率的UHF频段（通常指470–862 MHz）射频放大应用设计。 其典型应用场景包括： ✅ 地面数字电视（DTMB、DVB-T/T2）广播发射机：作为末级功率放大器（PA），支持多载波信号，具备高增益（典型值≥18 dB）、高输出功率（连续波下可达600 W，脉冲模式更高）及优异的线性度与热稳定性。 ✅ 专业无线通信基站：适用于UHF频段的公共安全通信（如TETRA、P25）、应急广播系统等中高功率基站的射频功放模块。 ✅ 工业/科学/医疗（ISM）射频源：如等离子体发生器、RF加热设备中需稳定大功率射频输出的场合。 该器件采用气腔陶瓷封装（TO-272WR-2），具备良好的散热性能和可靠性；内置ESD保护，支持宽带匹配设计，并兼容50 Ω系统。其“NR1”后缀表示卷带包装，适用于自动化贴片生产。 注意：实际应用中需严格遵循NXP推荐的偏置电路、匹配网络与散热方案（如强制风冷或水冷），以确保长期稳定运行与符合FCC/CE等电磁兼容要求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN TO270-2 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF9060NR1 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-270-2 |
| 功率-输出 | 60W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18dB |
| 封装/外壳 | TO-270AA |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 26V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 450mA |
| 频率 | 945MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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