Datasheet下载- 型号： BLF6G27-45,112
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G27-45,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G27-45,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G27-45,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF6G27-45,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G27-45,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的 BLF6G27-45,112 是一款射频晶体管，属于 FET（场效应晶体管）和 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。其主要应用场景集中在高频射频功率放大器领域，具体包括以下方面： 1. 广播通信：适用于 AM/FM 广播发射机，用于信号的高效放大，确保覆盖范围广且信号质量稳定。 2. 无线通信系统：可用于基站、中继站和其他无线通信设备中的射频功率放大，支持高效率的信号传输。 3. 工业、科学和医疗 (ISM) 频段应用：如 RFID 阅读器、无线能量传输设备等，需要高功率射频输出的应用场景。 4. 航空与国防：在雷达系统、导航设备以及军事通信中，提供稳定的高功率射频信号放大功能。 5. 测试与测量设备：用于信号源或功率放大器模块，为实验室环境下的射频性能测试提供支持。 该型号具有高功率处理能力和良好的线性度，适合需要高效率和高增益的射频应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | IC WIMAX 2.7GHZ SOT608A射频MOSFET晶体管 LDMOS TNS |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,NXP Semiconductors BLF6G27-45,112- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BLF6G27-45,112 |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 385 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 385 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 65 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 65 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 0.5 V, 13 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 0.5 V, 13 V |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 产品类型 | MOSFET Power |
| 供应商器件封装 | CDFM2 |
| 其它名称 | 568-8651 |
| 功率-输出 | 7W |
| 包装 | 托盘 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16.5 dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 385 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | SOT-608A |
| 封装/箱体 | CDFM |
| 工厂包装数量 | 60 |
| 技术 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | MOSFET Power |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 20 |
| 汲极/源极击穿电压 | 65 V |
| 漏极连续电流 | 20 A |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 350mA |
| 输出功率 | 7 W |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 0.5 V, 13 V |
| 零件号别名 | BLF6G27-45 |
| 频率 | 2.5 GHz to 2.7 GHz |
| 额定电流 | 20A |
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