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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SUM110P06-08L-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUM110P06-08L-E3价格参考¥17.79-¥20.68。VishaySUM110P06-08L-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 60V 110A(Tc) 3.75W(Ta),272W(Tc) TO-263(D2Pak)。您可以下载SUM110P06-08L-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SUM110P06-08L-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SUM110P06-08L-E3 是一款P沟道功率MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET),广泛应用于需要高效、低导通电阻开关功能的电子设备中。该器件具有较低的导通电阻(RDS(on))和高电流承载能力,适合在便携式电子产品和电源管理系统中使用。 其典型应用场景包括:笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的电源开关与负载管理;电池供电系统的电源保护电路,如过流和反向电压保护;DC-DC转换器中的同步整流或高端开关,以提高转换效率;以及各类消费类电子设备中的热插拔控制和电机驱动模块。 由于采用先进的封装技术(如PowerPAK SO-8L),SUM110P06-08L-E3 具备良好的散热性能和空间利用率,适用于对体积和能效要求较高的紧凑型设计。此外,该器件符合RoHS环保标准,并具备高可靠性,适合工业控制、通信设备和汽车电子辅助系统等环境较严苛的应用场合。 综上所述,SUM110P06-08L-E3 主要用于电源管理、电压切换、负载开关及高效DC-DC转换等场景,特别适合追求小型化、高效率和稳定性能的现代电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 110A D2PAKMOSFET 60V 110A 272W 8.0mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 110 A |
| Id-连续漏极电流 | 110 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUM110P06-08L-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SUM110P06-08L-E3SUM110P06-08L-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.75 W |
| Pd-功率耗散 | 3.75 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 190 ns |
| 下降时间 | 300 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 240nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8 毫欧 @ 30A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-263(D2Pak) |
| 其它名称 | SUM110P06-08L-E3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 140 ns |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 110A (Tc) |
| 系列 | SUM |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |