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  • 型号: BLF2425M7L100J
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF2425M7L100J由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF2425M7L100J价格参考。NXP SemiconductorsBLF2425M7L100J封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BLF2425M7L100J参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BLF2425M7L100J 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 生产的型号为 BLF2425M7L100J 的晶体管属于 FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别,且专门用于射频(RF)应用。以下是该器件的主要应用场景:

 1. 射频功率放大器
   - 通信基站:BLF2425M7L100J 可广泛应用于无线通信基站中的射频功率放大器,支持高效率的信号传输。
   - 蜂窝网络设备:适用于 2G、3G、4G 和部分 5G 网络的基础设施,提供稳定的射频功率输出。

 2. 广播系统
   - FM/AM 广播发射机:该器件能够处理高频信号,适合用于广播电台的发射设备中,确保高质量的音频信号传输。

 3. 航空航天与国防
   - 雷达系统:在雷达应用中,该 MOSFET 可用作射频功率放大器的核心组件,提升探测距离和精度。
   - 卫星通信:用于卫星地面站或卫星载荷中的射频模块,支持高效的数据传输。

 4. 工业与科学应用
   - 等离子体生成:在工业等离子体设备中,该器件可驱动高频电源,用于材料加工或表面处理。
   - 医疗设备:如 MRI(核磁共振成像)设备中的射频激发模块,需要高稳定性和低失真的射频信号。

 5. 测试与测量设备
   - 信号发生器与分析仪:在研发和生产过程中,该 MOSFET 可用于高性能射频测试设备,确保精确的信号生成和分析。

 特性优势
- 高功率输出:能够在高频段提供高功率输出,满足现代通信和工业需求。
- 宽频率范围:适用于多种射频频率范围,灵活性强。
- 高效率与可靠性:设计优化以减少能量损耗并提高系统稳定性。

综上所述,BLF2425M7L100J 在射频功率放大、通信、广播、国防以及工业领域均有广泛应用,是一款性能卓越的射频 MOSFET 器件。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR RF POWER LDMOST

产品分类

RF FET

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

产品图片

产品型号

BLF2425M7L100J

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

*

其它名称

934067899118

标准包装

100

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