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  • 型号: BLF6G20-75,112
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G20-75,112由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G20-75,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G20-75,112封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BLF6G20-75,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BLF6G20-75,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 是一家专注于射频(RF)功率半导体解决方案的公司,其产品广泛应用于通信、广播、工业和医疗等领域。型号 BLF6G20-75,112 是一款射频功率 MOSFET 晶体管,适用于高频率和高功率应用场景。

该器件主要应用于以下场景:

1. 广播发射机:用于调频(FM)和数字音频广播(DAB)发射系统中,作为高效率功率放大器的核心元件,提供稳定的射频输出。

2. 通信基础设施:适用于蜂窝通信基站,特别是在 5G 基建中,用于构建高线性度、高效率的射频功率放大器模块。

3. 工业与科学设备:如射频加热、等离子体发生器、工业激光器等,BLF6G20-75,112 可提供稳定的高功率输出,适用于高频工作的工业环境。

4. 医疗设备:在某些高频治疗设备或磁共振成像(MRI)系统中,作为射频能量放大的关键组件。

5. 测试与测量设备:用于射频信号发生器、功率放大器模块等测试设备中,为研发和生产提供可靠的射频功率支持。

该器件具有高增益、高效率和良好的热稳定性,适合在高频段(如 UHF、L 波段)下运行,是多种射频功率应用的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR PWR LDMOS SOT502A

产品分类

RF FET

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

BLF6G20-75,112

PCN封装

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PCN组件/产地

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

LDMOST

其它名称

568-8642
934061249112
BLF6G20-75,112-ND
BLF6G2075112

功率-输出

29.5W

包装

托盘

噪声系数

-

增益

19dB

封装/外壳

SOT-502A

晶体管类型

LDMOS

标准包装

20

电压-测试

28V

电压-额定

65V

电流-测试

550mA

频率

1.93GHz ~ 1.99GHz

额定电流

18A

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