Datasheet下载- 型号： BLF8G10LS-300PJ
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF8G10LS-300PJ由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF8G10LS-300PJ价格参考。NXP SemiconductorsBLF8G10LS-300PJ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF8G10LS-300PJ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF8G10LS-300PJ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF8G10LS-300PJ 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款高性能射频功率 MOSFET 晶体管，主要用于高频率、高功率的无线通信系统。该器件基于 LDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体）技术，具有出色的效率和热稳定性，适用于工作频率在 700–1000 MHz 范围内的应用。 典型应用场景包括： 1. 广播发射机：用于 FM 广播和数字音频广播（DAB）系统的末级功率放大，提供高输出功率与良好的信号保真度。 2. 陆地移动通信：广泛应用于公共安全、应急通信和专业对讲系统基站中，支持高可靠性语音和数据传输。 3. 工业与医疗设备：用于射频能量加热、等离子发生及某些医疗射频治疗设备中，发挥其稳定高效的功率输出优势。 4. 5G 基础设施扩展支持：虽主要面向传统频段，但在部分5G增补或融合网络中仍可作为关键功率放大元件。 该器件采用紧凑的塑料封装（SOT502A），具备优良的散热性能和抗静电能力，适合在严苛环境下长期运行。其高增益、高效率和低失真特性，使其成为现代射频功率放大设计中的优选方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF 300W LDMOS SOT539B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF8G10LS-300PJ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT539B |
| 其它名称 | 934068218118 |
| 功率-输出 | 65W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20.5dB |
| 封装/外壳 | SOT539B |
| 晶体管类型 | LDMOS （双）， 共源 |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 2A |
| 频率 | 760.5MHz ~ 800.5MHz |
| 额定电流 | - |
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