Datasheet下载- 型号： PD55025-E
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PD55025-E由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD55025-E价格参考。STMicroelectronicsPD55025-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PD55025-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PD55025-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的PD55025-E是一款射频MOSFET晶体管，主要用于射频功率放大器应用。该器件适用于无线通信基础设施，如蜂窝基站、广播设备和工业射频系统。其高功率密度和优良的热稳定性使其适合在高频环境下工作，广泛应用于4G/5G通信、广播发射机和射频测试设备中。此外，PD55025-E也适用于需要高线性度和高效率的射频放大电路，是现代通信系统中关键的射频元件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10射频MOSFET晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7 A |
| Id-连续漏极电流 | 7 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,STMicroelectronics PD55025-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PD55025-E |
| Pd-PowerDissipation | 79 W |
| Pd-功率耗散 | 79 W |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | RF & Microwave Transistors |
| 供应商器件封装 | 10-PowerSO |
| 其它名称 | 497-5301-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1821/PF136906?referrer=70071840 |
| 功率-输出 | 25W |
| 功率耗散 | 79 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.5dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | PowerSO-10 裸露底部焊盘 |
| 封装/箱体 | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 技术 | LDMOS |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 漏极连续电流 | 7 A |
| 电压-测试 | 12.5V |
| 电压-额定 | 40V |
| 电流-测试 | 200mA |
| 系列 | PD55025-E |
| 输出功率 | 25 W |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
| 频率 | 500MHz |
| 额定电流 | 7A |
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