Datasheet下载- 型号： CRF24060FE
- 制造商： Cree
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CRF24060FE由Cree设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CRF24060FE价格参考。CreeCRF24060FE封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CRF24060FE参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CRF24060FE 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Cree/Wolfspeed的CRF24060FE是一款基于碳化硅（SiC）技术的射频功率MOSFET晶体管，广泛应用于高频、高效率和高功率的射频场景。以下是其主要应用场景： 1. 无线通信基站 CRF24060FE适用于现代无线通信系统中的射频功率放大器，例如4G LTE和5G基站。其高频率和高效率特性能够满足基站对宽带信号处理的需求，同时降低能耗和散热压力。 2. 雷达系统 该器件适合用于军事和民用雷达系统，如天气雷达、空中交通管制雷达以及军事目标探测雷达。其出色的射频性能可支持高分辨率和长距离探测。 3. 电子战设备 在电子战领域，CRF24060FE可用于干扰器和信号放大器，提供高效的射频能量输出以实现信号干扰或增强。 4. 卫星通信 该型号的MOSFET可以集成到卫星地面站的射频前端模块中，用于信号放大和传输，支持高数据速率的卫星通信链路。 5. 工业加热与等离子体应用 在工业领域，CRF24060FE可用于射频加热设备（如半导体制造中的等离子体激发）和材料处理系统，提供稳定且高效的射频能量输出。 6. 医疗设备 该器件也可应用于医疗领域的射频设备，如磁共振成像（MRI）系统的射频发射模块和射频消融治疗设备。 CRF24060FE凭借其高功率密度、宽禁带材料特性和优异的热管理能力，在上述应用场景中表现出色，尤其适合需要高效率、高可靠性和小尺寸设计的射频系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | 10W RF SIC MESFET FLANGED 440193 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Cree Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CRF24060FE |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 440193 |
| 其它名称 | CRF24060F |
| 功率-输出 | 60W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13dB |
| 封装/外壳 | 440193 |
| 晶体管类型 | 碳化硅 MESFET |
| 标准包装 | 24 |
| 电压-测试 | 48V |
| 电压-额定 | 120V |
| 电流-测试 | 2A |
| 频率 | 1.1GHz |
| 额定电流 | 9A |
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