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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SD57045由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SD57045价格参考。STMicroelectronicsSD57045封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SD57045参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SD57045 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的SD57045是一款射频MOSFET晶体管,主要用于射频功率放大器应用。该器件适用于无线通信基础设施,如蜂窝基站、微波传输系统和广播设备中的射频放大电路。此外,SD57045也可用于工业和医疗射频设备,如射频加热、等离子体生成和射频驱动器等应用场景。 该器件具有高功率密度、高效率和良好热稳定性的特点,适合在高频段(如UHF、L波段和S波段)工作,能够满足现代通信系统对高线性度和高可靠性的要求。其坚固的LDMOS结构使其在高功率条件下仍能保持稳定性能,广泛应用于4G/5G基站、广播发射机和专用无线电通信系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR RF PWR LDMOST M243射频MOSFET晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5 A |
| Id-连续漏极电流 | 5 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,STMicroelectronics SD57045- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SD57045 |
| Pd-PowerDissipation | 93 W |
| Pd-功率耗散 | 93 W |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 65 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 65 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 产品类型 | RF MOSFET Power |
| 供应商器件封装 | M243 |
| 其它名称 | 497-5477 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1829/PF64195?referrer=70071840 |
| 功率-输出 | 45W |
| 功率耗散 | 93 W |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13 dB at 945 MHz |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | M243 |
| 封装/箱体 | M243 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 技术 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | MOSFET Power |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 25 |
| 正向跨导-最小值 | 2.7 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 65 V |
| 漏极连续电流 | 5 A |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 250mA |
| 类型 | MOSFET |
| 系列 | SD57045 |
| 输出功率 | 45 W |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
| 频率 | 1 GHz |
| 额定电流 | 5A |