Datasheet下载- 型号： PD20015-E
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PD20015-E由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD20015-E价格参考。STMicroelectronicsPD20015-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PD20015-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PD20015-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的PD20015-E是一款射频MOSFET晶体管，主要应用于射频功率放大领域。该器件适用于工作频率在800MHz至2.7GHz之间、输出功率要求较高的无线通信系统中，广泛用于蜂窝基站、小基站（Small Cell）、无线基础设施设备等场景。 PD20015-E具有高增益、高效率和良好的线性性能，适合用于4G LTE及5G前传网络中的射频功率放大器设计。此外，它也可用于工业和医疗射频设备、广播系统以及测试测量仪器中的射频信号放大。 其封装形式为紧凑型表面贴装封装（SMD），便于自动化生产和高频电路布局。由于其优异的热稳定性和可靠性，该器件可在较宽的工作温度范围内稳定运行，满足高性能射频系统对稳定性和耐用性的要求。 总结来看，PD20015-E主要用于现代通信基础设施中的射频功率放大环节，尤其适合中高频段、中高功率应用需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PD20015-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PowerSO-10RF（成形引线） |
| 其它名称 | 497-8802-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1821/PF185320?referrer=70071840 |
| 功率-输出 | 15W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 11dB |
| 封装/外壳 | PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线） |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 13.6V |
| 电压-额定 | 40V |
| 电流-测试 | 350mA |
| 频率 | 2GHz |
| 额定电流 | 7A |
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