Datasheet下载- 型号： BLF7G15LS-200,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G15LS-200,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G15LS-200,118价格参考。NXP SemiconductorsBLF7G15LS-200,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF7G15LS-200,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF7G15LS-200,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的型号 BLF7G15LS-200,118 是一款高功率 LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）射频（RF）MOSFET 晶体管，广泛应用于射频功率放大器设计中。该器件特别适用于工作频率在 1.8 GHz 至 2.2 GHz 范围内的无线通信系统，如 4G LTE 基站、5G 基础设施、广播传输和工业加热设备等。 BLF7G15LS-200,118 可提供高达 200W 的连续波（CW）输出功率，具备高效率、高线性度和良好的热稳定性，适合在高要求的通信基础设施中使用。其典型应用包括： 1. 移动通信基站：用于宏基站、微基站中的射频功率放大模块，支持高数据速率和广覆盖需求； 2. 广播系统：如数字音频广播（DAB）和数字视频广播（DVB）发射设备； 3. 工业与医疗射频设备：用于射频能量应用，如材料加热、等离子体生成等； 4. 测试与测量设备：作为高功率射频信号源或放大器模块。 该器件采用工业标准封装，便于散热和集成到现有系统中，适用于需要高可靠性和高稳定性的应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS LDMOS SOT502B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF7G15LS-200,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 934064634118 |
| 功率-输出 | 50W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.6A |
| 频率 | 1.47GHz ~ 1.51GHz |
| 额定电流 | 56A |
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