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型号： BLF7G21LS-160P,118
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G21LS-160P,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G21LS-160P,118价格参考。NXP SemiconductorsBLF7G21LS-160P,118封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BLF7G21LS-160P,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF7G21LS-160P,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc.生产的BLF7G21LS-160P,118是一款射频晶体管，属于FET（场效应晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该型号主要应用于高频、高功率的射频场景，以下是其典型应用场景：

 1. 无线通信设备
   - 基站放大器：用于4G LTE、5G等通信基站中的功率放大器模块，提升信号传输距离和质量。
   - 无线电发射机：适用于业余无线电、短波广播和其他专业无线电通信设备。

 2. 雷达系统
   - 在气象雷达、空中交通管制雷达以及军事雷达中，作为功率放大器的核心组件，提供高增益和高效率的射频信号输出。

 3. 广播电视
   - 电视发射机：用于VHF/UHF频段的电视信号发射，确保覆盖范围广且信号稳定。
   - 调频广播：在FM广播发射机中实现高效的功率放大。

 4. 工业、科学与医疗（ISM）领域
   - 工业加热设备：如射频感应加热或等离子体生成系统，利用射频能量进行材料加工或表面处理。
   - 医疗设备：例如射频消融设备，用于治疗肿瘤或其他病变组织。

 5. 测试与测量仪器
   - 在高性能射频测试设备中用作信号源或功率放大器，支持对其他电子设备的性能评估。

 性能特点
- 高功率输出：适合需要大功率射频信号的应用。
- 宽频率范围：覆盖从几十MHz到几百MHz的频段，适应多种射频需求。
- 高效能设计：降低能耗并减少热量产生，提高整体系统效率。

总结来说，BLF7G21LS-160P,118广泛应用于需要高功率射频信号的场合，尤其是在通信、广播、雷达及工业领域中发挥重要作用。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS LDMOS SOT1121B
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLF7G21LS-160P,118
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	LDMOST
其它名称	934065241118
功率-输出	45W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	18dB
封装/外壳	SOT-1121B
晶体管类型	LDMOS（双）
标准包装	100
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	1.08A
频率	1.93GHz ~ 1.99GHz
额定电流	32.5A