Datasheet下载- 型号： MRF6VP2600HR6
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6VP2600HR6由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6VP2600HR6价格参考。Freescale SemiconductorMRF6VP2600HR6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6VP2600HR6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6VP2600HR6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6VP2600HR6是NXP USA Inc.生产的一款高功率射频MOSFET晶体管，属于射频场效应管（RF FET）类别。该器件主要应用于高频、高功率的无线通信系统中，特别适用于VHF（甚高频）和UHF（特高频）频段。 其典型应用场景包括：民用及军用AM/FM调幅调频广播发射机、陆地移动通信基站（如公共安全通信、消防、警察等专用通信系统）、工业与军事领域的高可靠性射频放大系统。此外，该器件也广泛用于全固态电视和广播发射设备中，支持高效率的D类或E类功率放大电路设计。 MRF6VP2600HR6具备600W的高输出功率能力，工作频率可达250MHz，具有良好的热稳定性和抗负载失配能力，能够在恶劣环境下可靠运行。其陶瓷封装（SOT-1222B）提供了优异的散热性能和机械强度，适合长时间高负荷工作。 由于其高增益、高效率和坚固耐用的设计，该器件常被选用于需要连续波（CW）或高脉冲功率输出的关键任务通信系统中，尤其在要求高可用性和强信号覆盖的应用中表现突出。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 600W NI1230 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF6VP2600HR6 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-1230 |
| 其它名称 | MRF6VP2600HR6CT |
| 功率-输出 | 125W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 25dB |
| 封装/外壳 | NI-1230 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 110V |
| 电流-测试 | 2.6A |
| 频率 | 225MHz |
| 额定电流 | 2.5mA |
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