Datasheet下载- 型号： MRF6S27050HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S27050HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S27050HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S27050HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S27050HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S27050HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S27050HR3是NXP USA Inc.生产的一款射频MOSFET晶体管，属于高功率LDMOS器件，主要用于射频功率放大。该器件典型应用于ISM（工业、科学和医疗）频段，工作频率可达2.7 GHz，输出功率高达50 W，具备高增益、高效率和良好的热稳定性。 其主要应用场景包括：工业加热与等离子发生设备、射频能量应用、医疗射频治疗设备（如肿瘤消融）、射频激励光源以及无线通信基础设施中的宽带放大器。此外，也适用于需要高可靠性与持续功率输出的军用或民用雷达系统。 MRF6S27050HR3采用陶瓷封装（SOT-1245），具有优异的散热性能和长期可靠性，适合在严苛环境下的连续波（CW）和脉冲工作模式。广泛用于要求高稳定性和耐用性的工业与通信领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780射频MOSFET晶体管 HV6 2700MHZ WCDMA NI780H |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,Freescale Semiconductor MRF6S27050HR3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MRF6S27050HR3 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14765.htm |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 68 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 68 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 0.5 V, 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 0.5 V, 12 V |
| 产品种类 | RF Power - Transistors |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 7W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 6.425 g |
| 商标 | Freescale Semiconductor |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 封装/箱体 | NI-780 |
| 工厂包装数量 | 250 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 250 |
| 汲极/源极击穿电压 | 68 V |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 500mA |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 0.5 V, 12 V |
| 频率 | 2.62GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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